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产能美元支出超越英特尔 台积电调升资本支出至59亿美元

看好半导体后市,晶圆代工厂台积电加码投资,在29日法说会中,宣布将2010年资本支出由原订的48亿美元,调高至59亿美元,超越英特尔(Intel)的52亿美元,仅次于韩国三星电子(Samsung Electronics)的228.8亿美元,董事长张忠谋亦将2010年全球晶圆代工产业成长预估值上修至40%。

针对市场忧虑晶圆厂积极扩充产能,将使得2011年有产能过剩的疑虑,张忠谋重申,台积电向来是依客户的需求扩充产能,而非先扩充产能才找客户。张忠谋并指出,2010年全球半导体产值可望年增3成,维持先前预估不变,全球晶圆代工产业成长预估值自原预估的36%,上修至40%。

张忠谋表示,在59亿美元的资本支出,其中58亿美元用于投资晶圆厂,另外1亿美元将用来投资新事业。他进一步指出,用于投资晶圆厂的58亿美元中,79%用来扩充65奈米、40奈米及28奈米制程,13%用来投资超越摩尔定律(More-than-Moore)的新制程技术,另外8%用于研发。

为加速扩充产能,台积电2010年扩充竹科晶圆12厂(Fab12)与南科晶圆14厂(Fab14)两座超大型晶圆厂的产能扩充,目前Fab12与Fab14合计月产能产能已超过20万片约当12寸晶圆,预计年底将扩充至24万片。位于中科的12寸超大型晶圆厂(GIGAFAB)晶圆15厂(Fab15)也于7月中动土,未来单月产能可望达到10逾万片。

台积电财务长何丽梅表示,台积电第2季资本支出16.57亿美元,累计上半年资本支出达31.01亿美元。第2季总产能已扩增至274.9万片8寸约当晶圆,较第1季增加7.1%,下半年产能将持续扩增,预期第3季总产能将较第2季增加7%,第4季产能将再增加3.5%。

何丽梅指出,在加速产能扩充计画后,2010年总产能将达1129.9万片8寸约当晶圆规模,将较2010年增加14%,增加幅度将较原预估的13%高。其中,先进制程产能将增加36%,也将较原预估的35%高。

在新事业方面,张忠谋指出,台积电日前投资太阳能电池厂茂迪,2010年也宣布投资美商Stion,取得铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能技术,他也透露,位在中科规划的CIGS薄膜太阳能电池厂,预计于8月或9月动工。另外新竹的LED厂,则预计于年底前开始将设备进厂。

针对鸿海投资台湾的相关议题,张忠谋并未回应,不过他也强调,台湾的投资环境绝对没有变,而且台积电在台中、台南、新竹都有投资计画,另外还有LED厂与即将动土的太阳能厂。

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