0279机床

求出函数标准功率半导体及LED用封装热阻检测方法JEDEC标准

美国明导科技宣布,基于该公司MicReD部门与德国英飞凌科技Automotive Power Application部门2005年共同发表创意时所提出的半导体封热阻检测方法,已成为JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)标准。该方法主要针对功率半导体及LED等领域,用于散热路径单一的场合。

  相应规格于2010年11月被管理半导体封装热特性评测技术的JEDEC JC15委员会认定为“JESD51-14”标准。该标准命名为:“在热量流过单一路径的半导体器件时,用于检测结(注:器件的结点)-壳(注:封装的外壳)间热阻的双面瞬态检测方法”。

  此次的标准(以及明导和英飞凌于2005年共同发表的方法)基于MicReD推出的下述技术:

  (1)静态的瞬态热阻检测技术(已成为JEDEC51-1标准);

注:使用T3Ster(右上)的热阻检测方法。首先使用T3Ster求出温度的时间分布(左图)。然后使用相关软件将时间分布信息转换为构造函数(右图)。(点击图片放大)

  (2)利用由该技术获得的时间-温度分布信息导出构造函数(显示热阻-热容关系的函数或图形)。

  注:构造函数的含义。表示作为对象的已封装器件的热构造。图片由明导提供。(点击图片放大)

另外,(1)和(2)两技术已通过使用明导提供的热阻检测用硬件“T3Ster”及其软件,实现了商品化。

  注:明导和英飞凌于2005年共同发表的创意。图片由明导和英飞凌提供。

  JESD51-14的方法在包含隔离层和不包含隔离层两种场合(这就是“双面”的含义)均基于(1)和(2)这两种技术,推算出各自的构造函数。构造函数一致的部分可作为结-壳间热阻高精度求出。另外,在微处理器等散热路径不单一时,通过改为单一路径的设计并多次检测,便可求出热阻。

  在此次明导宣布上述消息的同时,英飞凌在2011年3月20~24日于美国举行的国际会议“2011 IEEE SEMI-THERM Thermal Measurement, Modeling and Management Symposium”上,发表了与JESD51-14相关的论文。另外,上面提到的MicReD部门在2005年时是一家总部设在匈牙利布达佩斯的企业(MicReD Kft.)。MicReD后被英国Flomerics Group PLC.收购。后来明导又于2008年收购了Flomerics,现在变成了明导的MicReD部门。

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