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芯片基带纳米展讯40纳米TD-LTE芯片年内发布

展讯日前发布了三款极具性价比的GSM/GPRS基带芯片,包括面向中端采用ARM9内核的SC6800H,以及两款面向低端市场的SC6610和SC6620。在继续布局2.xG产品的同时,展讯称将把40纳米制程应用到包括2G、TD-LTE等相关芯片领域。有消息指出,展讯基于40纳米 的TD-LTE芯片将在今年推出,这将是国内首家采用40纳米的基带芯片设计企业。

今年1月,展讯发布了基于40纳米的TD-HSPA/TD-SCDMA/2G的基带芯片。电信专家李进良指出,由于展讯TD芯片采用了40nm制程,使得TD芯片集成度更高,有益于降低TD终端的功耗,对于TD终端用户的体验将有质的提升。

据悉,展讯SC6610和SC6620在单芯片集成了PMU、多媒体加速器、触摸屏控制器、背光控制器的基础上,还集成了16M/32M pSRAM,可为客户提供在一套基带与射频芯片上实现双卡双待、三卡三待、四卡四待的自适配多卡方案的选择。

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